SOTMRAM

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本報告深入探討 SOT-MRAM(Spin-Orbit Torque MRAM)技術,分析其在高階運算與 AI 晶片領域取代 SRAM cache 的潛力,並聚焦於三大關鍵技術瓶頸:低寫入電流、無外加磁場切換(field-free)的可靠性,以及後段製程(BEOL)整合的良率與成本。
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