在所有半導體製程裡，光刻是一道至關重要的步驟。它就像是電路設計的照相術——利用一道光，把複雜的晶片圖樣從：光罩（reticle），這塊玻璃轉印到晶圓上。長久以來，幾乎所有業界使用的 reticle 大小都被定在 6 吋，這是一個早在 1980 年代就確立下來的規格。它默默承擔起半導體設計與製造的資訊轉換工作，固定地躺在曝光機的舞台上，被一道道光線掃描、投影、縮印，將微縮電路圖樣轉移到矽晶圓上。
大多數人從未懷疑這塊玻璃的尺寸，它就這樣被沿用了幾十年，彷彿已成為微影設備理所當然的一部分。然而，隨著 EUV 曝光機的推進，我們開始注意到：即便使用最先進的系統，一次曝光的面積依然極小，約莫只有一張郵票的大小。這樣的面積限制不完全是技術能力的問題，而更像是一種歷史設計的延續。業界早在多年前就為 6 吋 reticle 建構了完整的檢查、對位與製作體系，要更動其尺寸，牽一髮而動全身。
這套架構原本運作良好，直到 High-NA EUV 出現。為了提高解析度，系統不得不降低縮放倍率，導致單次曝光範圍變得更小，也讓整體 throughput 明顯下降。這個長久以來被視為穩定的規格，第一次成為量產效率的瓶頸，重新被推上檯面討論。
光罩標準是怎麼被定下的？
最早期的光罩設計是等比例的光罩，也就是 1:1 contact mask，圖案直接以相同比例轉印到晶圓上。然而這種方式在解析度與缺陷控制上很快遇到瓶頸，因此業界開始轉向縮小投影系統（projection lithography），透過縮小倍率將光罩上的圖形縮印到晶圓上。
到了 1980 年代，4 倍與 5 倍縮放倍率的投影系統逐漸成為主流，而「6 吋玻璃 + 4× 縮放倍率」這組組合成為業界的標準。這樣的設計在當時可說是多方條件下的最適平衡。一方面，6 吋玻璃在製造上已具備足夠成熟的技術與良率；另一方面，配合 4 倍縮小倍率後所產生的影像範圍約為 26×33 mm2，剛好適合當時掃描式曝光機的運作模式，也能控制光學鏡頭的體積與重量。
更重要的是，這套尺寸與倍率的組合定下來之後，整個微影設備與生產鏈也就跟著建制完成。寫罩機的尺寸、光罩載具（reticle pod）的規格、對位系統的精度與行程、甚至是後段檢測設備的感測器設計，全都以這個標準為基礎優化。久而久之，「6 吋 reticle」就從技術選擇變成制度規範，成為整個半導體產業鏈難以撼動的默契。
