在光學微影中，我們常用 Rayleigh 公式描述解析度
- 成像對比
- 光阻化學反應機制
- 酸擴散長度
- 熱處理條件
光阻其實是整個成像物理的延伸。
（延伸閱讀：光刻極限的數學邊界：k₁、k₂ 與 EUV 時代的工藝窗口）
浸潤式微影改變的不只是水接觸問題
浸潤式微影的核心，是在鏡頭與晶圓之間加入超純水，提高 NA。NA 提升後，aerial image 的斜率變陡，解析度提升，但同時對光阻反應變得更敏感。
現代主流光阻是 Chemically Amplified Resist（CAR）。曝光產生少量酸 → 在 Post Exposure Bake 中酸擴散 → 催化反應放大
這種酸擴散長度會直接影響：
- CD 控制
- Line edge roughness
- 臨界尺寸穩定性
當浸潤式微影提高 NA，影像對比變高，酸擴散對圖形邊緣的影響反而變得更關鍵。早期 浸潤式微影還出現額外問題：
- 成分溶出
- 表面吸水
- watermark defect
因此曾經需要加一層 top coat 保護層。後來材料工程進步，把抗水能力整合進分子設計本身， top coat 才逐漸消失。
（延伸閱讀：光刻演進 4/ 6｜ArF 技術展現 DUV 的極限與持續用途）
EUV 讓光阻進入統計物理世界
如果浸潤式微影是光學提升，EUV 則把問題推向更底層。EUV 波長 13.5nm，單位面積吸收的光子數非常有限。當光子數變少，反應不再是連續模型，而是統計分佈。這會帶來
- missing contact
- line break
- stochastic defect
- 邊緣粗糙度增加
EUV 的挑戰並不是解析度不足，而是光子統計極限。光阻在 EUV 世代，不只是材料工程問題，而是進入統計物理層級。
在早期節點，光阻相對成熟。但從浸潤式微影開始，它成為成像控制的一部分。 到 EUV 世代，它甚至成為良率與成本的重要變數。
這說明微影不是只有設備突破，材料與成像物理必須同步。光阻沒有乾濕之分，但它會隨著 NA 提升與波長改變， 調整化學反應與分子結構。
