晶呈科技（4768.TW）的營運重心正由特用氣體供應，逐步轉向先進封裝材料領域。隨著半導體製程進入後摩爾時代，玻璃通孔（Through-Glass Via, TGV）技術因介電損耗低、熱穩定性高等物理特性，成為解決 AI 與高效能運算（HPC）封裝瓶頸的可行方案。晶呈科技透過「銅磁晶片」與「TGV 金屬填孔載板」技術，試圖解決玻璃基板製程中良率最低的「薄片搬運」與「通孔金屬化」環節。
TGV 技術需求成因：物理極限與材料替代
AI 晶片對算力與傳輸速度的需求，推動了封裝材料的演進。傳統有機基板（Organic Substrate）與矽中介層（Silicon Interposer）在高頻與大尺寸封裝上已面臨物理極限，促使產業轉向玻璃基板（Glass Core Substrate）。高頻傳輸的訊號完整性
5G/6G 通訊與高頻 AI 運算對訊號損耗極為敏感。玻璃材料的介電損耗（Df）低於 0.005，顯著優於有機材料。在物理層面上，較低的 Df 值能減少高頻訊號傳輸過程中的能量耗損與熱能產生。同時，玻璃的介電常數（Dk）約為 5.0 至 6.0，低於矽的 11.9，且在不同頻率下表現穩定。這降低了寄生電容效應與訊號延遲（RC Delay），有助於提升晶片運算效率。
機械剛性與尺寸經濟性
Chiplet（小晶片）架構導致封裝尺寸持續擴大。當線路寬度（L/S）縮小至 2μm 以下，有機基板表面的粗糙度易引發製程缺陷。相比之下，玻璃表面平整且剛性較高，能支援更精細的線路設計。此外，玻璃的熱膨脹係數（CTE）可透過配方調整至 3-8 ppm/°C，與矽晶片相近，能有效減少異質接合時因熱應力產生的翹曲（Warpage）。在成本效益方面，玻璃基板支援 510mm x 515mm 等面板級製程（PLP），面積利用率高於受限光罩尺寸的矽中介層，量產後的單位成本具有競爭力。
光電整合的可行性
隨著數據傳輸速率突破 100Gbps，銅線傳輸面臨物理瓶頸。玻璃的光學透明特性允許在基板內直接整合光波導（Optical Waveguide），實現光訊號與電訊號同步傳輸。這是矽與有機材料難以實現的特性，使 TGV 成為光電共封裝（CPO）架構的重要選項。
晶呈科技的技術佈局：製程痛點解決方案
TGV 技術從實驗室走向光量產（HVM），主要面臨「薄玻璃搬運易碎」與「深孔電鍍困難」兩大良率瓶頸。晶呈科技利用其材料科學背景，提出了解決方案。
銅磁晶片：物理吸附解決搬運良率
玻璃基板為優化電氣效能，厚度需薄化至 100μm 以下，極易破碎。傳統製程採用「暫時性貼合膠」將玻璃固定於載具，但在高溫製程後，膠材變質往往增加解黏（De-bonding）難度。雷射或化學解黏過程產生的機械應力，是造成薄玻璃破裂的主因。
晶呈開發的「銅磁晶片」技術，改用具磁性的銅合金複合材料載具。此技術利用磁力物理吸附固定薄玻璃，取代化學黏著劑。製程結束後，移除磁場即可分離載具與玻璃。此方法排除了機械撕裂力與熱應力干擾，並避免了殘膠清洗步驟。此外，金屬載具的耐高溫與抗腐蝕能力優於有機膠材，更適合先進封裝的嚴苛環境。
TGV 金屬填孔載板：化學配方優勢的延伸
在直徑 10-20μm、深寬比大於 5:1 的微小玻璃通孔中進行銅電鍍，技術難度極高。若電鍍液配方控制不當，孔內易產生氣泡（Void），導致電阻升高或斷路。多數基板廠僅提供開孔玻璃，將填孔難題留給封測廠。
晶呈利用其在半導體化學品與電鍍液配方的經驗，在內部完成填孔製程，直接提供具導電功能的玻璃載板。此模式將高度依賴化學參數控制的製程留在晶呈廠內，降低了下游封測廠（OSAT）的設備投資與技術門檻。針對不同客戶的線路設計，晶呈能調整蝕刻與電鍍參數，提供客製化服務，這使其角色從單純的材料供應商轉變為具備製程能力的零組件供應商。
產能規劃與財務預測
晶呈科技的營收成長動力，來自既有氣體業務的穩定與新廠產能的釋放。
擴廠動態
晶呈三廠（Plant 3）已動工，規劃專用於生產 TGV 玻璃載板與 Micro LED 相關材料。此產能佈局旨在配合 2025 至 2026 年預期的 TGV 市場需求。
獲利結構分析
目前公司營收約 90% 來自特殊氣體，提供了穩定的現金流。目前公司也明確表示 TGV（玻璃通孔）載板的生產與導入進度「比預期快」。 2026 年第 1 季就會開始貢獻營收，且預估明年相關營收會「倍增」。
