MRAM
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本報告深入探討 SOT-MRAM（Spin-Orbit Torque MRAM）技術，分析其在高階運算與 AI 晶片領域取代 SRAM cache 的潛力，並聚焦於三大關鍵技術瓶頸：低寫入電流、無外加磁場切換（field-free）的可靠性，以及後段製程（BEOL）整合的良率與成本。
