
筆者觀測,全球半導體產能配置正經歷一場顯著的位移,AI 基礎建設對 HBM 的極度渴求排擠了成熟製程記憶體的產能空間。隨著一線原廠全面轉向高階 3D NAND 與 DDR5 技術,低層數的 2D NAND 與利基型 DRAM 出現了結構性的供給斷層。這種因供給側永久性縮減帶來的缺貨潮,正推動相關設計商進入平均單價 (ASP) 快速調漲的獲利噴發期。

筆者觀測,全球半導體產能配置正經歷一場顯著的位移,AI 基礎建設對 HBM 的極度渴求排擠了成熟製程記憶體的產能空間。隨著一線原廠全面轉向高階 3D NAND 與 DDR5 技術,低層數的 2D NAND 與利基型 DRAM 出現了結構性的供給斷層。這種因供給側永久性縮減帶來的缺貨潮,正推動相關設計商進入平均單價 (ASP) 快速調漲的獲利噴發期。



















