NAND
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韓國以記憶體作為國家戰略，Samsung 與 SK hynix 以規模與專注攻上全球主導地位。AI 時代 HBM 需求暴增，讓韓國成為算力燃料核心，美光加入後形成三強格局，記憶體成為影響地緣與產能的關鍵力量。
本文深入分析2026年記憶體產業（DRAM及NAND Flash）的資本支出預測，探討AI需求對產業的推動作用，以及廠商（美光、三星、海力士、Kioxia、Sandisk）的投資策略差異。重點關注HBM的擴張，並對DRAM及NAND Flash在AI以外領域的成長潛力提出質疑。
這一兩年，AI 帶來的產業劇變速度之快，讓整個科技界猶如被按下「加速鍵」。從 PCB、散熱技術、機櫃軌道、交換器到伺服器供應鏈，短短時間內全都被 AI 推著往前走。而現在，這股巨浪正式推向了另一個過去不太起眼的主角——記憶體
其中，高頻寬記憶體（HBM）的全球缺料，更像是一把點燃產業鏈的野火；一旦
Samsung（三星）
1. 2026–2027 年 SSD 大容量產品路線曝光
Samsung 已規劃 256TB PCIe Gen5 MVP SSD 於 2026 量產。
512TB PCIe Gen6 SSD 目標於 2027 上市，鎖定 AI、HPC、「記憶體級儲存」領域。
技
SSD的內部架構與NAND Flash的物理特性：白箱驗證的物質基礎
要深入理解SSD的白箱驗證，首先必須對SSD的內部架構以及其核心儲存介質——NAND Flash的物理特性有透徹的理解。SSD並非一個簡單的儲存裝置，它是一個高度集成的複雜系統，由多個關鍵組件協同工作，而NAND Flash的獨
當市場只盯著「NAND 價格起飛」時，聰明的投資人，應該開始掃描整條供應鏈的放大效應。每一顆容量翻倍、速度升級的 NAND 背後，都意味著：更複雜的控制器晶片（SSD/eMMC/UFS Controller）、更高功耗與更多軌電壓需要的 PMIC / DC-DC / LDO、更高速介面帶來的 PHY
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加權指數已在藍框範圍內橫向盤整了一個月(19根K)，今天再次挑戰黑線失敗，與昨天不同的是，雖然指數還無法確認危機解除，但今天檯面下的個股卻大量出現盤整後的突破行情，多頭趨勢有機會延續
台股今 (4) 日市場焦點仍在電子股，早盤創新高達 28554.61 點，但因台積電 (2330-TW)、鴻海 (2317-TW)、廣達 (2382-TW) 等大型權值股的走跌，及部分個股的急殺跌停，造成大盤的大幅震盪，大盤終場以 28116.56 點作收，收跌 218.03 點或 0.77%。
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好的，這就為您整理。
本日外電整理
「在別人貪婪時我恐懼，在別人恐懼時我貪婪。」 — 華倫・巴菲特
外電重點摘要
群聯 (8299): 需求強勁，券商指出 '26 年 NAND 產能已售罄。客戶尋求供貨保障，企業級 SSD 業務預期將顯著成長。
GB200 NVL72 racks: 美系大
