一、 產業摘要與市場規模
隨著半導體先進製程持續微縮至 3nm、2nm 甚至更小節點，極紫外光（EUV）微影技術成為晶圓製造的核心。由於 EUV 光罩造價極其昂貴，且當關鍵尺寸（CD）縮小至 10 奈米以下時，任何微塵汙染都會導致嚴重的良率損失，這使得 EUV 光罩護膜（Pellicle）成為經濟效益與營運上不可或缺的剛性需求。
市場研調數據顯示，全球 EUV Pellicle 市場規模預計將從 2025 年的 6.7 億美元，平均以至少 12.48% 的年複合成長率（CAGR）高速擴張，至 2035 年將達到 21.72 億美元。2026 年不僅是 AI 晶片放量的一年，更是 EUV 護膜技術規格從「矽基」全面跨入「碳奈米管（CNT）」的關鍵量產元年。
資料來源:https://www.grandviewresearch.com/industry-analysis/euv-pellicle-market-report
- 補充EUV 光罩護膜（Pellicle）的重要性:
Pellicle 是一種安裝在光罩（模板）上方約 2 毫米處的極薄薄膜。它的作用是像護盾一樣保護光罩免受灰塵和污染物的影響。在晶片製造過程中，光罩上的任何微小顆粒都會導致晶圓上的晶片失效。Pellicle 可以確保污染物停留在薄膜上，而不會在光罩上留下陰影。
為什麼 EUV 技術需要 Pellicle?在 EUV 系統中，光罩上的污染物是不可接受的。因此，開發透光率高、耐熱且能承受 EUV 高能量光束的 Pellicle 材料是半導體產業最關鍵的使能技術之一。
二、 技術典範轉移：碳奈米管（CNT）成為 High-NA 時代唯一解
隨著 ASML 推出高數值孔徑（High-NA）與新一代高功率 EUV 曝光機，光源輸出功率將從目前的 250W 攀升至 500W 甚至突破 1kW。在這種極端環境下，傳統的矽基薄膜會面臨嚴重的熱應力與氫電漿蝕刻問題，容易提早破裂。
碳奈米管（CNT）憑藉其卓越的光學、機械與熱學特性，已成為業界公認的次世代護膜標準材料。新一代 CNT 護膜具備以下優勢：
- 極高透光率： EUV 穿透率可達 94% 至 97% 以上，能將對微影曝光產能的影響降至最低。
- 極端耐熱與高強度： 在真空環境下可承受 1000°C 甚至高達 1500°C 的高溫，並具備優異的抗氫蝕刻能力與機械強度。
三、 全球完整供應鏈版圖解析
EUV Pellicle 產業具備極高的技術壁壘，目前全球市場份額主要由 ASML（27.7%）、三井化學（19.3%）、信越化學（16.2%）、S&S Tech（14.6%）與 FST（10.3%）等大廠瓜分。以下為完整的產業鏈拆解：
1. 上游：核心薄膜材料與光罩基底
- CNT 薄膜技術先驅：
- Canatu (芬蘭)： 與 imec 深度合作，開發能承受 500W 以上高功率、透光率達 97% 的 CNT 護膜薄膜。
- Lintec (日本)： 與日本 AIST 合作，致力於 2025 年底前建立 CNT 護膜的大量製造 (HVM) 系統。
- EUV 空白光罩 (Blank Mask)：
- Hoya (日本)： 全球 EUV 空白光罩的領導供應商。
- AGC (日本)： 全球少數具備商業化交付 EUV 空白光罩能力的巨頭之一。
2. 中游：EUV Pellicle 製造與框架組裝
將極薄的透光薄膜與外框架結合，並解決內外氣壓平衡與除氣問題。目前分為兩大陣營：
- 國際主導陣營 (ASML 授權與日系大廠)：
- 三井化學 (Mitsui Chemicals, 日本)： 獲 ASML 授權之絕對霸主。目前正擴建產線，預計於 2025 財年完成 CNT 護膜量產線，並於 2026 財年開始供應 High-NA EUV 所需的新一代產品。
- 信越化學 (Shin-Etsu, 日本)： 掌握護膜框架、氣壓平衡通道設計，以及防止微塵進入的過濾器 (Particle filter) 等關鍵結構專利。
- 韓國國產化陣營 (三星扶植)：
- S&S Tech (韓國)： 與三星共同開發利用磁力結合的護膜框架專利，大幅減少黏著劑使用以降低除氣汙染。
- FST (韓國)： 積極推動護膜本土化量產，為三星供應鏈重要一環。
3. 下游：專用檢測與自動化傳載設備
負責極度脆弱且昂貴的 EUV 護膜在製造與運輸過程中的瑕疵檢測、拆裝與環境保護。
- 光罩與護膜瑕疵檢測設備 (Inspection)：
- Lasertec (日本)： 處於市場壟斷地位。針對新一代 CNT 護膜推出 EPM200 檢測系統，首創能自動判別微塵是附著在護膜「正面」還是「背面」的技術。
- Carl Zeiss (德國)： 推出 AIMS EUV 3.0 空中影像測量系統，支援 High-NA EUV 微影技術的精確量測。
- KLA / Applied Materials (美國)： 提供半導體先進製程光罩與晶圓缺陷檢測設備。
- 儲存、傳載與自動化處理設備 (Handling & Storage)：
- 家登精密 (Gudeng, 台灣)： 全球 EUV POD (極紫外光光罩盒) 市佔龍頭。其 High-NA EUV POD 產品已獲 ASML 認證，並提供光罩自動交換機、充氣儲存櫃與真空清潔機等完整配套設備。
- FST (韓國)： 除了生產護膜外，亦提供自動化護膜裝卸與處理設備，近期更拿下三星美國德州泰勒廠的 EUV 護膜處理設備大單。
四、 2026 年兩大陣營角力與贏家契機
2026 年是 High-NA EUV 設備開始大量裝機、以及 2nm 節點進入量產的關鍵年度。供應鏈將呈現兩大陣營的角力：
- 台積電 / ASML 國際生態系： 台積電的 2nm（N2P）製程將在 2026 年下半年量產。在這個生態系中，取得 ASML 授權的三井化學將是 CNT 護膜最大贏家；而在設備端，掌握高階檢測儀器的 Lasertec 與壟斷光罩傳載載具的台灣廠家登，將享有極高的毛利護城河。
- 三星的本土化反撲： 三星為了降低對日本供應鏈（如 Hoya 與三井化學）的依賴，正傾全力扶植南韓本土供應商 S&S Tech 與 FST。據最新消息，三星位於美國德州的泰勒廠（Taylor Fab）已將大規模量產時程定於 2026 年初，並已向 FST 簽訂了價值 250 億韓元的 EUV 護膜自動化處理設備合約，準備在美國產線中導入國產的 EUV 護膜解決方案。若南韓供應鏈順利放量，將為 S&S Tech 與 FST 帶來歷史性的業績爆發。
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