為什麼要用光通訊？因為相較電傳輸，光具備高頻率、低損耗與低功耗等優勢。
光波的頻率比電頻高出數萬倍，可以承載能高的數據量，而電在銅線裡傳輸時會遇到電阻，所以訊號會隨著距離衰弱，故而需要加裝 DSP 這種訊號處理器來進行訊號的補償與修正。
與此同時，電在傳輸時是會有電荷，很容易受到電磁干擾；而光子就沒這個問題，光子間交會也不會產生影響。
電在銅線中傳輸也會產生所謂的焦耳熱，頻寬越高所產生的熱能就越高；光傳輸雖然也會生熱，但相較電傳輸所產生的熱能下降許多，可減少晶片過熱的影響。
目前光訊號有幾種發射方式：
#VCSEL 光源從晶片表面垂直射出，以多模態光源為主，構造簡單成本低，傳輸距離較短(<100m)，在高頻 (如 200G 或以上) 時容易產生雜訊，蘋果的 FaceID 就是使用 VCSEL。
#DFB 從晶片的側面射出，光柵能產生單模態光源，適合中長距離傳輸 （>2km)，而且可以在 200G 的高頻下維持訊號清晰；由於需要切割成裸晶才能測試，製造成本較高。
#DML 通常 DML 指的是上述的 DFB，但技術上包含了 VCSEL；直接對雷射二極體切換電流以提供 1 或 0 的訊號；不過，當電流切換的速度太快的時候，雷射的波長會產生微小的偏移 （Chirp)，導致訊號在光纖裡面變得模糊（色散）。
#EML 為電吸收調變雷射，用來解決 DML 的色散問題，也就是讓雷射永遠開著 （CW Laser)，透過電吸收調變器 （EAM) 把雷射擋住或通過來傳遞訊號；因為不關雷射，所以 Chirp 會變小，適合在高速或長距離的環境下傳輸，啊缺點就是技術門檻比較高，比較貴功耗也比較大。
#外部調變 外部雷射源射入矽光子晶片中，晶片上會有一個稱為 MZM 的調變器，透過干涉原理與電壓控制來傳遞訊號；優點在於可以處理 224G PAM4 以上的速度，缺點就是損耗較大，需要高功率的外部雷射。
而我們常見的 400G、800G 或 1.6T 之類的數據指的是傳輸速率，也就是每秒鐘可以傳輸多少資料量：
#G Gigabit per second (十億位元/每秒)
#T Terabit per second (兆位元/每秒)，1T = 1000G，所以 1.6T 就是 1,600G 的意思。
這個數字是用「通道數」與「單通道速率」相乘得來的，800G 通常是 8 x 100G，到了 1.6T 就變成了 8 x 200G。
這個時候就會出現一些疑問，100G 跟 200G 差在哪？100G 使用的是 56 GBaud，每秒鐘開關 560 億次，搭配 PAM4 編碼 (一次傳2個bits) 來達到 112 Gbps，至於那多出來的 12G 是用來放 overhead；而 200G 就是要把 GBaud 翻倍，訊號穩定度會下降，故而需要更強的 DSP 晶片或者使用 SiPho (矽光子) 技術。
那為啥不能用 16 x 100G 來達到 1.6T？一個是空間限制，光收發模組的大小是固定的，所以通道數變多會讓空間不足，佈線會變得很混亂之類的；再來就是散熱問題、成本問題（多一倍的雷射跟接收器）、光纖數量變多，然後封裝良率下降，所以解決方案是把單一通道的速率提升，而不是透過增加通道數的方式。
我儘量用直白的方式寫一些入門的說明，因為光通資訊非常多，我也需要時間好好梳理成文字，所以先放一個 Part 1 來給大家參考，有錯誤的地方還請協助糾錯 xd
