Background - 投資背景
一切的起源：[矽光子技術突破] - 2025 0115
『 IMEC 宣布在矽光子領域取得重大進展，成功展示電激發式砷化鎵 (GaAs) 基材的多重量子井奈米脊雷射二極體，該元件在其 CMOS 試驗原型產線於 12 吋矽晶圓上採用單一基板完整製造。』
『 IMEC：矽光子的主要障礙是缺乏具備高擴充性並與 CMOS 同質整合的光源，像是覆晶、微轉印技術或晶粒對晶圓 (Die-to-Wafer) 接合技術等異質整合方案牽涉了複雜的接合製程，或是必須採用昂貴的三五族基板，這些基板通常在處理後丟棄。
這不僅提高成本，也引發有關永續發展和資源效率的疑慮。因此，在大型矽光子晶圓上有選擇性地直接磊晶長出高品質的三五族光學增益材料仍是備受推崇的開發目標。 』
