今天電子時報的下則新聞，幾乎是讓南亞科、華邦電吃了定心丸～獲利狂飆。從製造廠、模組廠、通路商、終端產品商全部喊缺貨，因為記憶體導致產品出不了貨，當DDR4漲幅超過DDR5時，出現DDR 4加速升級到DDR5的雜音，然而實際上DDR4和DDR5有很大的不同，交換器、IPC很多是無法改成DDR5的。這波的缺貨潮是由CSP廠商，因進入AI推論階段，到市場掃貨，造成記憶體結構性的改變，從以往改朝換代的青黃不接的週期性短時間的缺貨，變成長期性的結構缺貨，尤其記憶體廠商經過多年的虧損整併，早已形成存留大廠的寡佔，擴廠緩不濟急，但吊詭的是為什麼缺貨漲價，但南亞科、華邦電，甚至美光都欲振乏力？很顯然的是訊息大家都知道了，想上車分一杯羹的很多，但又擔心套牢，所以籌碼很亂，因為搶短的沒有堅強的信心，有賺就跑，每日冲冲樂，造成利多反而下跌。去年曾經持有南亞科，押4年一度的改朝換代的漲價循環，結果消費性電子太差，漲價循環沒有岀現，最後小賠出清。沒有想到循環因爲AI建設，變成結構性漲價，結果以去年的三倍價格，全部認錯回補南亞科、華邦電。股價終究要反映基本面，無事不報，時機未到。等籌碼從没有信心的，換手到有信心的，從短線客變成中長線投資人持有，洗牌之後，才有機會配合每月的營收獲利成長，重新發動攻勢。
AI 記憶體為什麼完全與以往的面板、航運不是同一回事？（1）需求是「多年投資曲線」，不是一次性消費記憶體需求驅動來自：
- AI 訓練（每年層級提升）
- AI 推論（長期、持續消耗）
- 資料中心全面升級
- 企業、政府、電信、邊緣 AI
不像疫情：
- 你不會每年買一台新電視
- 但企業每年都會擴建 AI cluster
（2）供給端被歷史教訓嚴重壓抑
三巨頭共同特徵：
- 不擴「低階／成熟 DRAM」
- 把 CapEx 全往先進製程、HBM 投
- 利用現有 clean room 做節點升級 → 有效 wafer 增量非常有限
- Micron、Samsung、Hynix 的新廠：
- 大量要到 2027–2030 才會放量
- 現在就算拍板：最快 2027 年 Q1 才能對市場供給造成影響
📌 結論：未來兩年無法靠增產來填補缺口。
（3）中國雖想補位，但高階市場打不進
- 中美管制卡設備
- HBM、DDR5 的客戶認證牆極高
- 中國產能只能補中低階、自用或低價市場
- 無法重演成熟製程那種「全面性反殺」
⭐ 4. 這一輪記憶體不是「漲太多→需求反轉」，而是「供應鏈裂縫」
這輪漲價不是主因，而是供應鏈本身的斷層正在推動行情。
也就是：
- HBM 吃掉大量 DRAM wafer
- DDR5 / LPDDR5 因為 server、手機升級造成供給緊
- 載板缺
- 日本光刻膠出口收緊
- 中國缺料無法補位
- 大廠 CapEx 集中於先進節點，成熟 DRAM 缺口無人補
→ 庫存被抽空後，真正變成「誰有料誰贏」。
Morgan Stanley 說 DDR5 進入：「有錢也買不到」階段。
台廠模組廠一致說：問題不是價格，而是：有沒有貨？這個現象在 2021 面板完全沒有出現。
⭐ 5. 市場為什麼現在反而最容易「誤判」？
有一點超級關鍵：最明顯的缺貨、漲價循環，常常都發生在大盤高檔附近。
因此市場習慣反射動作：
- 「缺這麼猛 → 應該是循環末端」
- 「EPS 爆表 → 應該準備反轉」
但這次循環不是消費品，也不是低階代工，而是：
- 5–7 年的 AI 基礎建設
- 記憶體廠被迫專注高階
- 低階 wafer 供應被壓縮
- 中國無法補高階
- 彈性供應鏈完全不存在
所以這次最像的是：
- 2020–2022 HBM 初期 + 2016–2018 DRAM 長周期
- 不是面板
- 不是成熟製程
- 更不是航運那種需求曇花一現
⭐ 6. 真正的核心問題
現在市場節奏不是「還能不能漲」，而是庫存被抽空後誰會先撐不住。
這句話點破一切。
股價短期震盪是正常的（漲多就是利空），
但產業基本面正走向：
◎ 「缺口擴大」而非「缺口緩和」
◎ 「供給延後」而非「供給追上」
◎ 「需求長線化」而非「需求一次性」
⭐ 7. 這三個月真正會發生的事（你的結論，我整理成三點）
（1）記憶體模組端會開始出現「搶料＋排單延後」的公開消息屬於市場正式認知缺貨的起點。
（2）Server DRAM / DDR5 / LPDDR5 報價可能超過市場預期幅度，特別是 DDR5，可能完全無視現貨價。
（3）外資會進一步上修 EPS 與目標價（不是噱頭，是數字跟著跳），因為三大廠給的合約價、指引，會反映下一季供需更緊。
結論：
記憶體的需求是長期算力建設，而不是疫情的短暫補庫存，供給受限於設備、製程、資本支出策略，三大 DRAM 廠不會再犯2018–2023那種擴產錯誤，新廠最快 2027 才能產出（DRAM），中國難以形成有效供應緩衝。
✔ 南亞科：處於新一輪週期主浪（合約價 + 低庫存 + server 拔高比重）
✔ Micron：AI DRAM / HBM 最高受益，EPS 上調趨勢才剛開始
✔ 韓廠：SK Hynix→HBM 供應王、Samsung→回到正循環起點
✔ 模組廠：誰有長約誰贏，不是現貨行情能看的
長鑫傳「再縮減」DDR4產能 美系CSP擬導入南亞科驗證
DRAM需求強勁，DDR4產能緊缺恐將延續至2026年底。符世旻攝（資料照）
DDR4 DRAM供應緊俏，市場預期，強勁漲勢至少延續至2026年上半。近期供應鏈傳出，中國DRAM大廠長鑫存儲，將「加速縮減」DDR4產能，原本2026年底保留單月2萬片DDR4產能，但隨著DDR5及新製程推進順利，可望再減至1萬片產能。
雖然長鑫存儲無意回頭重拾DDR4舊製程，不過據了解，近年來被視為華為勢力的福建晉華，將擴充機台投入DDR4擴產，惟其擴充規模有限，對產能高度緊缺的現況，仍是緩不濟急。
受惠於DDR4炙手可熱，DRAM廠南亞科2025年11月營收，首度突破新台幣百億元大關，達101.68億元，月增率28.57%、年增364.89%，創單月新高。
南亞科10月獲利也大爆發，單月稅前淨利達25.02億元，年增781.74%；歸屬母公司業主淨利20.39億元，年增率10倍暴衝，達到1,006.38%，單月獲利超過第3季。
市場估計，南亞科第4季ASP漲幅可望達到45~50%，2026年第1季價格有機會續漲，供不應求下，單季ASP上看25%，「賣一顆賺一顆」不是夢。
尤其是下游伺服器OEM廠傳出，通用型伺服器搭載DDR4需求依然強烈，近期美系雲端服務（CSP）大廠要求南亞科提供DDR4伺服器DIMM模組進行驗證，2026年合約價可望持續看漲。
南亞科近來積極調整訂單及製程優化，傳出第4季位元出貨量將較第3季減少，而2026年第1季進入農曆年節、工作天數減少，將影響出貨量較第4季略減，這將導致DDR4緊缺態勢，未來兩個季度內持續嚴峻。
隨著國際DRAM大廠推進DDR4於2026年邁向EOL時程不變，預計2026年下半，DDR4比重將降至5%以下，僅限於特殊應用的利基型客戶，意味著南亞科、華邦電作為全球DDR4主要供應商的地位確立，而中國競爭對手縮減DDR4，更將加速擴大產能緊缺。
據估計，到了2026年底，DDR4的供需缺口仍維持1成以上差距。
近期市場傳出，長鑫存儲也無意戀棧DDR4，原內部規劃在2026年底保留單月2萬片產能，主要提供給兆易創新的代工需求，但產能規劃可能再調整，降低DDR4產能供應的腳步加快，預計將減少至1萬片規模，加速進攻DDR5/LPDDR5。
由於伺服器需求推動記憶體產業加速升級，近來長鑫存儲發表新一代DDR5與LPDDR5X產品，並預計從2026年起全面量產，被視為可能急起直追三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）的性能表現。
外界預期，長鑫存儲2026年超過90%的產能將轉向新製程，快速跟上「記憶體超級循環週期」的成長列車，而長鑫存儲的總投片量，預計2026年將達到30萬片，屬於既有產能規劃，短期內對於緩解DRAM供不應求的實質幫助非常有限。
值得關注的是，供應鏈傳出，隨著中國內需市場對DDR4需求急迫，近年來在華為助益下，福建晉華開始生產少量用於消費電子產品的DRAM，被視為中國本土供應鏈敗部復活的「優良教材」；近期晉華有意採購DDR4設備，可望適度填補華為的龐大需求。
但業界私下坦言，目前華為及晉華仍列於美國清單之內，採購機台的難度很高，估計未來半年~1年恐難以達成機台導入的進度，意味著實際投產時間可能更久，就算投產後，多數產能也被華為包下，DDR4產能供應無法擴散至中國以外的市場。
儘管DDR4價格居高不下，從9月初至今的現貨價已上漲2倍多，近半年來現貨市場價格也明顯高於DDR5，但受限於DDR5供貨也同樣吃緊，DDR5價格漲幅也呈現倍數調漲，業界認為，DDR4合約價可望延續高檔至2026年底，後續維持賣方市場。
