TPE: 4749｜半導體先進製程特用化學品｜產業觀察
新應材是台灣唯一打入 2 奈米核心製程的特化材料公司，也是台積電 N2 製程 Rinse、BARC、EBR 的獨家供應商。本篇報告從公司簡介、行業分析、商業模式、護城河、管理層、財務、產業展望、風險八個面向做全面拆解。
Disclaimer：本文僅為產業知識分享，並非投資建議。
重點摘要
- 台積電 N2 製程 Rinse / BARC / EBR 獨家供應商，N2 帶動拉貨；N1.4 製程已同步開發中，鞏固長期綁定關係。
- 攜手南寶、信紘科從先進製程跨入先進封裝領域，異業合作提供客戶先進封裝更多解決方案。
- 毛利率優於預期且稼動率持續提升。
- 受惠於先進製程需求強勁，帶動 Rinse 洗劑需求逐漸擴大。
產業定位
新應材主要提供特用化學品給半導體廠使用，在半導體上扮演良率關鍵的角色，通常有光阻剝離液、蝕刻液、清洗液、顯影劑等產品。這些產品使用的目的在於解決奈米級圖案倒塌（Pattern Collapse）的痛點，直接決定了先進製程的良率。因材料並非能隨意替換，會面臨不確定的風險，所以公司擁有著極大的議價能力與客戶黏著度。
在地緣政治的狀況下，台積電也積極推動材料在地化，在速度與彈性相比國際大廠，新應材能夠提供 24 小時的即時反應。在垂直整合方面也透過高雄、龍潭廠從原料合成、純化到配方開發達成一條龍生產，不只是買原料回來混合，這使其在供應鏈中具有「上游自主權」。
1. 公司簡介
新應材成立於 2003 年，早期為顯示器材料（LCD）廠，近期已成功全面轉型為半導體光阻周邊材料供應商，提供先進製程以及先進封裝特用化學品材料，並且是台灣唯一打入兩奈米核心製程的特化材料公司。
廠房佈局
新應材在台灣有四座廠房：
- 桃園廠：研發中心與顯示器材料的生產地。
- 龍科廠：25 年 12 月宣布投入資源建置，為未來研發中心及實驗室，建置完畢後生產 KrF 光阻液，預期 27 年完工。
- 台南廠：半導體特化配方材料的生產地。
- 高雄廠：合成與純化所在地，2023 年量產。二期（合成 + 純化 + 配方）預計於 2026 年中通過客戶認證。若 KrF 光阻液驗證成功後先將於高雄一期生產。目前台南一、二期與高雄一期產能足以供應客戶至 1H27，待晶圓客戶高雄廠 P3 啟用後才需要高雄二期的產能支應。
轉投資與異業結盟
海外銷售據點：為服務客戶在海外需求，於日本與美國皆設立銷售據點。
轉投資部位
- 思微合成生技（持股 70%）
- 歐利得材料（持股 48%）
- 昱鐳應材（持股 30%，特化合成產能）
先進封裝異業結盟：與南寶（4766 TT）、信紘科（6667 TT）合資成立新寶紘（持股 36%），從先進製程跨足至先進封裝領域，專為先進封裝所用的高階膠材進行研發，特別是針對 CoWoS、FOPLP（扇出型面板級封裝）等製程。
2. 行業分析
從台灣特化的角度來看，目前產業正處於成長期階段，除了花費大量的研發費用及時間打入市場，也持續提高資本支出來建置廠房設備，使其特化能夠真正落實在地化生產。
半導體材料產業與半導體市場高度連結，預估 2026 年半導體材料市場營收將年增 6–9%，CAGR 達 4.5%。除了 AI 帶來的需求外，半導體材料產能比重將從原先的 16% 提高至 18%。加上製程的光罩層數不斷增加（由 7nm 的 4–5 層增加至 3nm 的 23–25 層），帶動清洗、曝光、蝕刻等特化品需求。隨著 2 奈米、1.4 奈米逐漸量產，特化品在精確度、潔淨度、耐熱及平滑品質方面都需要更高的要求。除了原有產品量產與驗證外，公司也投入相當多的資金開發新的產品，並朝光通訊產品佈局。市場預估在 2032 年自駕車與機器人成熟時，TAM 將來到 1,000 億美元。
產品開發進度總覽
先進微影材料
- 量產中：Rinse（潤洗液）、BARC（底部抗反射層）、EBR（邊緣去除劑）、Cleaner（清洗劑）
- 驗證中：次世代 Rinse / BARC / EBR / Cleaner（A14/A16 節點）、DUV 光阻 KrF（深紫外光光阻）
- 開發中：Bottom Layer（底層材料）、Advanced BARC（先進抗反射層）、Protection Layer（保護層）、DUV 光阻 ArF（深紫外光光阻）
先進封裝材料
- 量產中：Temporary Protection Layer（暫時保護層）、Plasma Dicing Glue（電漿切割膠）
- 驗證中：SoIC Protection Layer（SoIC 保護層）、KrF BARC（KrF 抗反射層）、Cleaner（清洗劑）、CPO Protection Glue（CPO 保護膠）、Leveling Layer（平坦化層）
- 開發中：High AR Photoresist（高深寬比光阻）、Packaging Glue（封裝膠）、Fine Pitch QFN Photoresist（細間距 QFN 光阻）
光學元件材料
- 量產中：Photoresists（光阻液）、Flat Layer（平坦層）、Color Filter Layer（彩色濾光層）、Light-cut Layer（遮光層）、Lift-off Layer（剝離層）
- 驗證中：ArF Photoresist（ArF 光阻）、Stripper（去光阻液）、Next-gen Lift-off Layer（次世代剝離層）、ArF BARC（ArF 抗反射層）、Adhesion Layer（附著層）
- 開發中：Leveling Layer（平坦化層）、Microlens Materials（微透鏡材料）
全球前五大特化公司市佔
- 1. 信越化學 Shin-Etsu（日本）：核心優勢——光阻劑、矽晶圓、封裝材料。市佔約 6–7%
- 2. 默克 Merck（德國）：核心優勢——沉積氣體、光阻、CMP 研磨液。市佔約 4–5%
- 3. 杜邦 DuPont（美國）：核心優勢——先進封裝材料、光阻劑、化學鍍。市佔約 3–4%
- 4. JIC（日本）：核心優勢——高階 EUV 光阻劑、先進顯示材料。市佔約 2–3%
- 5. 東京應化 TOK（日本）：核心優勢——EUV 光阻劑、半導體輔助化學品。市佔約 2%
目前全球特化市佔以日本、美國、德國為主軸；尤其日本幾乎壟斷 90% 以上的供應，因此新應材若想完全取代成為本土化最大供應商還需一段很長的路要走。
宏觀經濟與地緣政治觀察：近期美伊戰爭導致荷姆茲海峽運往亞洲地區的石油、天然氣都受阻，布蘭特原油甚至一度飆升至 116 美元/桶；而特用化學所需要的原材料都是從石化、天然氣所提供，如芳香烴（BTX）、乙烯、丙烷等，因此不排除後面會看到特化產品的缺貨漲價潮出現。
3. 商業模式與產品分析
核心產品介紹
表面改質劑（Rinse）
其作用在於防止晶圓因水的表面張力使晶圓的電路圖導致塌陷。當晶圓在顯影後，電路圖充滿了清洗液，在乾燥過程中，液體蒸發時會產生「毛細管力」，隨著液面下降，殘留在兩道電路牆之間的水會形成一個弧形凹面把兩邊的電路牆往中間拉。因 3 奈米、2 奈米電路圖案高深寬比，受不了這股力量，結果不是塌陷，或是直接斷裂。加入 Rinse 後能夠降低液體的表面張力，在光阻表面形成保護層。
由於在每一道顯影後都需要使用 Rinse，隨著微影層數的增加，Rinse 在整體製程用量也持續提升，預估 N2 的使用量比起 N3 會多 1.5–2 倍左右。在先進製程上已導入 N3、N2 製程，並通過 A14 的認證，並且在未來的 A10 製程上目前還尚未有競爭對手，仍維持獨家供應的地位。
底部抗反射劑（BARC）
為半導體製程中抗反射劑材料，目的在於減少微影製程光波在不同介面的反射干擾。晶圓的表面光滑、具有高反射率，當光線穿透光阻層打在這些上面時，會產生駐波效應、反射凹痕的問題：
- 入射光與反射光互相干擾，導致光阻側邊出現鋸齒狀邊緣，讓電路線條凹凸不平。
- 晶圓表面本身有高低起伏，光線會以各種角度亂反射，將不該曝光的光阻給曝光了，導致圖案缺角或短路。
BARC 的作用為「光阻液」與「晶圓基板」之間的特殊高分子聚合物，能完美吸收特定波長的曝光光源，光線打下來後會被 BARC 吸收掉，不會再反射上去破壞光阻圖案。
洗邊劑（EBR）
作用在於當晶圓高速旋轉塗光阻劑後，利用洗邊劑清洗晶圓周圍的光阻劑以避免晶圓周圍崩潰。除了正面外邊緣，N2 製程對於晶圓背面的清潔度要求近乎瘋狂。新應材的 EBR 同時應用於晶圓正反面的邊緣清洗，確保零污染底部抗反射層。新應材優勢在於能夠精準掌握溶解邊緣 0.5mm 到 1.0mm 的範圍，且邊界處不會產生毛邊或滲透。
光阻液（KrF / ArF）
其原材料為溶劑、感光劑、聚合物，根據曝光後的反應性質光阻分兩大類分別為正光阻劑、負光阻劑。正光阻劑通常用於對圖案精細度較高的 IC 產品，而負光阻劑為最早用於曝光液的光阻，特點在於成本低、量產高等優點。目前市場上正光阻劑依照不同光源長度可分為紫外線 G-line / I-line 光阻液、深紫外線 KrF（248nm）、ArF（193nm）及超紫外線 EUV（13.5nm）光阻液，用於 N7 以下的先進製程。
異業結盟：先進封裝膠材
新應材除了研發洗劑外，也與南寶、信紘科合資成立新寶紘科技，專為先進封裝所用的高階膠材進行研發，新應材持股約 36%，特別是針對 CoWoS、FOPLP（扇出型面板級封裝）等製程。主要研發先進封裝用解黏膠帶，包括研磨膠帶（BG Tape）、切割膠帶（Dicing Tape）、晶片黏結膜（DAF）。
- 研磨膠帶：在研磨晶圓時，晶圓的「正面」是朝下放置的。並且為防止蝕刻完成後的晶圓電路層受到損傷，會在晶圓正面貼上研磨膠帶。研磨過程晶圓被磨到極薄時會發生翹曲，研磨膠帶也能夠為晶圓提供支撐與壓力，避免切割晶圓的過程中產生破片的可能。
- 切割膠帶 / DAF：在切割階段會先在晶圓背面貼上 DAF 再貼上切割膠帶，切割膠帶用於固定晶圓。在切割結束後會使用低 UV 曝光的方式降低黏性將切割膠帶分離，雖然還有殘留在 DAF 在晶片上但可直接與封裝基板結合。
商業模式
新應材產品大部分都為毛利率較高且獨家供應，因產品客戶驗證時間較長，且大部分同業公司產品處於後段製程如先進封裝技術，並不像新應材已在前段的製程上取得絕對的地位，並朝向 A14、A16 去驗證。若同業要與其競爭，恐需要耗費大量的研發費用與成本來投入更高階的產品。
目前這些特用化學品屬於類經常性收入；並非像軟體公司收訂閱費維生，但特化對於晶圓廠來說是剛性需求。晶圓廠 24 小時運轉意味著公司產品是按日、按週出貨，只要產能利用率維持，公司就能擁有穩定的現金流。
特化產品與其他硬體設備一樣需經過相當嚴格的驗證，因此通過廠商驗證後就具有極高的黏著度，晶圓廠極少會輕易更換供應商——更換材料可能導致良率崩跌。這種「認證即綁定」的特性，讓其收入具有極高的可預測性。新應材所製造的產品並非與公司資本支出連動，而是與產出量連動，與設備廠不同。換言之，只要晶圓廠仍持續生產晶圓，就必然會持續需要特化產品。
同業比較
新應材（4749）
- 製程段落：前段（先進微影）N3/N2 核心清洗
- 核心產品：Rinse、EBR、光阻液
- 半導體營收佔比：最高（約 85%）
- 毛利率：約 42%–46%
達興材料（5234）
- 製程段落：後段（先進封裝）CoWoS 封裝材料
- 核心產品：封裝底填劑（Underfill）、晶圓剝離液
- 半導體營收佔比：成長中（約 20–25%）
- 毛利率：約 40%–41%
三福化（4755）
- 製程段落：後段封裝與基礎回收（CoWoS 剝離液 / 廢液回收）
- 核心產品：光阻剝離液（Stripper）、TMAH 回收
- 半導體營收佔比：成長中（約 25–30%）
- 毛利率：約 20%–22%
台特化（4772）
- 製程段落：前段（薄膜沉積）3 奈米以下特用氣體
- 核心產品：矽乙烷、矽丙烷（特殊氣體）
- 半導體營收佔比：純血（100%）
- 毛利率：約 50%–58%
4. 護城河分析與競爭優勢
新應材重要的護城河來自於四個面向：獨家供應、技術門檻、以及轉換成本，且這座護城河將會逐漸加寬。對手若想要與新應材搶市場，必須先花費大量的研發費用以及熬過驗證時間，這對公司來說無疑是巨大的壓力。因此在市場上只要能撐過這段時期並且成功打入供應鏈地位就不容易被取代。
01 | 獨家供應
新應材目前是台積電合作夥伴，75% 的營收都來自於台積電外，在 Rinse（表面改質劑）為獨家供應商。能夠成為獨家供應的理由為受惠於在地化研發；公司為了打入先進製程將產品送樣測試高達千次，且配合台積電在研發階段就進行「參數微調」，這種高度客製化的研發模式使其成為台積電推動「材料在地化」的首選。
02 | 轉換成本：驗證即綁定
特化材料並非能隨意替換，會面臨不確定的風險。客戶驗證極嚴格，前端製造晶圓需四階段驗證：
- Beaker Test（實驗室階段）
- Dummy Wafer Test（非產品晶圓測試）
- Risk Production（風險試產）
- HVM（大量生產）
每個節點（A14、A16）都需驗證一次，整體驗證週期 1.5–2 年。一旦通過驗證即形成事實上的長期綁定。
03 | 技術壁壘與垂直整合
台灣唯一打入二奈米核心製程的特化材料公司。在未來 A10 製程上目前還尚未有競爭對手，仍維持獨家供應的地位。垂直整合從原料合成、純化到配方開發達成一條龍生產，具有「上游自主權」。
04 | 成本優勢與地理優勢
在地緣政治狀況下，台積電積極推動材料在地化。相比國際大廠，新應材能夠提供 24 小時的即時反應，若是台積電方面有任何問題，公司在反應的速度與彈性上具有明顯優勢。
護城河寬度趨勢：持續加寬
加寬驅動力
- 台積電「材料在地化」政策延續
- N2 / N1.4 / A10 節點的獨家認證累積
- 垂直整合上游自主權
- 先進封裝（新寶紘合資）開啟第二道護城河
潛在破壞者
- 日美大廠在 EUV 光阻與先進節點上的長期技術壓力
- 高雄廠二期擴廠帶來的折舊與 Capex 壓力
5. 管理層分析
在管理層架構上，公司採「材料 × 金融」雙頭馬車模式，目前的管理核心主要圍繞在董事長 詹文雄（金融專家）與總經理 郭建盟（材料專家），以及其背後的專業團隊身上。
作為董事長，詹文雄背景跨足金融、航太與創投，正因他有如此深厚的經驗，能夠在關鍵決策上做正確的決定——2018 年果斷從競爭激烈的面板光阻轉型做高階半導體特化材料，也利用本身的金融背景在投入資本支出時精準將效益最大化（興建高雄一、二廠與龍潭研發中心），並在戰略投資上強化供應鏈（如投資奇鼎科技、歐利得材料），以及扮演與客戶溝通的角色與台積電等頂層客戶進行戰略對接，確保公司研發方向符合客戶未來的 2 奈米、1.4 奈米藍圖。
總經理郭建盟則是公司技術核心的人物，曾擔任新應材的研發處長，是技術體系內的專家。在管理層角色作為技術突破的先鋒，像是在微影製程（Lithography）材料上取得突破，特別是 Rinse（表面改質劑）與 BARC（底部抗反射層）也就是目前公司的主力產品。良率的掌控也是由總經理負責監督，搭配台積電數千次的送樣測試，確保產品達到了「埃米級」的純度要求。
管理層承諾兌現紀錄
過去管理層所做的承諾從產品轉型、財務成長目標、先進製程布局，以目前來看幾乎完成了過去對投資人的承諾。
產品轉型：降低對面板光阻的依賴，提升半導體營收佔比。
實際情況：2018 年半導體營收幾乎為零，2025 年半導體相關營收佔比已正式突破 80%，轉型極為徹底且成功。
財務成長：營收連 5 年創高、維持雙位數年增、挑戰營收連年創高。
實際情況：2025 全年營收達 42.62 億元，年增 28.3%，成功創下歷史新高，達成連續 5 年創高的壯舉。
先進製程布局：獨家供應台積電 3 奈米與 2 奈米關鍵 Rinse 材料。
實際情況：目前已隨台積電進度完成 2 奈米材料送樣並進入試產（Pilot Run）驗證階段。隨著高雄二廠與台南廠二期在 2025–2026 年陸續投產，產能布局完全跟上客戶需求。
6. 財務分析
年度損益表（2024 vs 2025）
- 營業收入：2024 33.2 億 → 2025 42.6 億，YoY +28.3%
- 營業毛利：2024 12.6 億（估）→ 2025 18.4 億，YoY +45.3%
- 毛利率：2024 38.03% → 2025 43.07%，+5.04 pp
- 營業利益：2024 5.08 億（估）→ 2025 10.6 億，YoY +108.8%
- 稅後淨利：2024 6.28 億（估）→ 2025 10.4 億，YoY +66.2%
- 淨利率：2024 18.91% → 2025 24.50%，+5.59 pp
- EPS：2024 6.39 → 2025 11.33
財務健康比率（114Q3）
- 流動比率：5.89（安全標準 >1.5，極佳 ✅）
- 速動比率：5.09（安全標準 >1.0，極佳 ✅）
- 負債比率：11.6%（安全標準 <60%，極佳 ✅）
- 利息保障倍數：114.4x（安全標準 >5x，極佳 ✅）
受惠於 IPO 募資，負債比從 45% 降至 11.6%，公司目前握有約 45 億元的流動資金，財務體質極為穩健。
營收板塊占比變化（2020–2025）
五年營收從 10.5 億元成長至 2024 年 33.2 億元，年增 41%；2025 年預估約 42 億元。半導體材料佔比從 2020 年的 18% 一路提升至 2025 預估的 83%，完成整體事業重心從顯示器材料到半導體材料的徹底移轉。
各年度詳細數據
- 2020：總營收 10.5 億，半導體占比 18%，毛利率約 22%，里程碑：虧轉盈起步期
- 2021：總營收 14.2 億（+35%），半導體占比 30%，毛利率約 24%，打入台積 3nm 供應鏈
- 2022：總營收 17.8 億（+25%），半導體占比 48%，毛利率約 27%，取得台積電優良供應商認證
- 2023：總營收 23.6 億（+33%），半導體占比 69%，毛利率 29.4%，3nm 製程規模放量
- 2024：總營收 33.2 億（+41%），半導體占比 79%，毛利率 36.3%，2nm 備貨啟動，EPS 7.53
- 2025E：總營收約 42 億（+27%），半導體占比 83%，毛利率約 39%，高雄廠一期滿載、KrF 光阻開發中
單季營收與三率趨勢
營收連續六季成長，113Q1 的 6.92 億逐步攀升至 114Q2 的 11.53 億（六季高點），114Q3 雖回落至 10.66 億（QoQ −7.6%），但 YoY 仍成長 +24.3%。114 年前三個季度的 YoY 增幅分別為 +38.6%、+34.4%、+24.3%，整體維持在 24–39% 的高成長區間。Q3 的 QoQ 回落並非結構性衰退，而是 Q2 因關稅避險與 N3/N2 過渡期而出現拉貨潮，Q3 回歸正常基期。
三率同步提升：114Q2 毛利率 46.2% 為六季高點；營益率由 113Q1 的 12.8% 翻倍成長至 114Q2 的 31.0%；淨利率也從 25.0% 同步上行。
單季歸母 EPS 趨勢
單季 EPS 從 113Q1 的 2.11 元（含一次性利益）升至 114Q3 的 3.13 元（六季新高，純本業貢獻）。114 年三季分別為 2.28 / 3.07 / 3.13 元，累計前三季 EPS 達 8.49 元，較 113 同期的 6.39 元成長 +32.9%。值得注意的是，114 前三季為 IPO 的稀釋股本（從 8.2 億增加到 9.27 億），若是相同股本來說成長幅度將會更大。
營運面觀察
新應材近期財務表現優於預期，毛利率從原先的 30% 大幅提升至 42%–46% 的區間，營業利益率也從 12.8% 翻倍成長至 31%。前三季營業淨利成長率達 80.8%，遠超過營收 32% 的增幅，這反映出產品組合向高階製程材料升級的效益非常顯著。
擴產進度部分，廠房設備淨額在跨 6 季內增加了 57%，年增率為 25%。第三季存貨季增 31%，暗示公司正在為後續訂單積極備料，未來可期待持續放量。
雖然新產能認列導致折舊增加，且研發費用率升至 9.6% 的新高，使得營業費用率從 17% 微幅上升至 18%，稍微壓縮了毛利轉化為營益的效率，但長期而言，無論是持續擴產或加碼投入新產品研發，對公司營運都是正向投資。值得注意的是，毛利增速 59% 仍快於研發增速 48%，代表研發投入的投資報酬率為正向。
7. 產業展望與成長動能
技術門檻高、競爭者有限
新應材作為二奈米的獨家供應商，除了逐漸擴大對於台積電的業務佔比外，同時也有多項產品逐項驗證中或處於關鍵的測試階段。也因高技術門檻，意味著驗證過程本身就需要更多時間來確認品質與可靠性——這對新進者是門檻，對已打入者則是護城河。
營運動能明確：N2 放量 + N3 持續滿載
台積電預計今年 4 座二奈米廠進入量產，將帶動 Rinse 用量提升；使用層數相比三奈米的 60 層，二奈米提高至 100 層，單片晶圓用量成長約 67%。這是材料端最直接受惠於製程微縮的結構性成長。
切入光通相關產品
新應材在 CPO 方面也切入到光通使用的保護膠，目前仍在驗證中，隨 CPO 量產進程有望帶來新的營收動能，與原有先進微影業務形成雙引擎。
8. 風險評估
風險一：在地化生產仍需時間
對於特化有關產品，在地化生產還是有著一定的距離。特化產品的純度與潔淨度需要達到非常嚴格的標準，必須在 99.999…（後面約 5 到 6 個小數點位）才能夠通過。對於晶圓廠來說，前端的生產是至關重要的，更何況又是將液體與晶圓接觸，若是純度或是潔淨度不夠，對於奈米級別的晶片恐怕是一種巨大的傷害。
風險二：驗證時間較長
對於特化產品大部分都是客製化、非通用品，生產需針對客戶需求進行。加上晶圓良率至關重要，因此客戶驗證極嚴格。前端製造晶圓驗證流程需四階段：Beaker Test（實驗室階段）→ Dummy Wafer Test（非產品晶圓測試）→ Risk Production（風險試產）→ HVM（大量生產），並且每個節點都需驗證一次（如 A14、A16 節點）。因此小型特化廠經受不起 1.5–2 年的消耗，大廠也會因驗證時間較長而短期內承受營收稍下降、研發費用擴大的壓力。
風險三：地緣政治與原物料風險
近期受美伊戰爭影響，特化所需的相關原物料有可能出現短缺，公司產品有機會供不應求並出現漲價。然而地緣政治的系統性風險與不確定性仍是特化產業在短期內須持續追蹤的議題。原料端（芳香烴、乙烯、丙烷等石化衍生物）的供應安全，是整個特化產業共同面臨的外部變數。
