YT: https://youtu.be/5ei8mEGjbnU
法說PDF: https://mopsov.twse.com.tw/nas/STR/301620260429M001.pdf法說影音: http://irconference.twse.com.tw/3016_12_20260429_ch.mp4
嘉晶(3016)2026Q1毛利率升至18%、EPS0.35元成功轉盈，受惠AI帶動功率元件需求與8吋比重提升。矽光子Ge/Si產品已小量量產，訂單能見度延長至2-3季。公司大幅擴充資本支出搶攻產能，Q2營收指引季增逾20%，下半年營運可望優於上半年。
1. 營運亮點概覽 (Executive Summary)
- 獲利虧轉盈，毛利大爆發：受惠於產能利用率回升與產品結構往 8 吋大尺寸轉型，2026 年 Q1 毛利率大幅躍升至 18%，EPS 達 0.35 元，正式由虧轉盈。
- AI 驅動訂單能見度大增：伺服器與資料中心基礎建設帶動功率元件需求，訂單能見度由過去的 1-2 個月大幅延長至 2-3 個季度，26Q2 營收財測給出季增超過 20% 的強勁指引。
- 矽光子 (Silicon Photonics) 邁入量產：針對 AI 高速光通訊的鍺矽 (Ge/Si) PD 磊晶產品已通過一線大廠驗證並於 Q1 小量量產，成未來營收強力新動能。
- 大舉上修資本支出：為滿足 8 吋矽磊晶及矽光子客戶急迫的產能需求，公司將今年與明年的資本支出追加至原董事會提案的三倍。
2. 財務業績回顧與關鍵指標 (Financials & Key Metrics)
- 營收表現：2026 年 Q1 營收達 10.59 億元（YoY +18%，QoQ -1%）。季減主因為季節性因素及工作天數較少。
- 獲利能力比率：
- 毛利率 (Gross Margin)：18%（YoY 大幅躍升，去年同期為 6%）。
- 營益率 (Operating Margin)：11%（去年同期為 -2%）。
- 每股盈餘 (EPS)：0.35 元（去年同期為 0.01 元）。
- 產品線與尺寸組合：
- 第一季矽磊晶約佔 90%，化合物磊晶 (GaN/SiC) 約佔 10%。
- 8 吋矽磊晶營收佔比從去年同期的 55% 大幅提升至 70%，產品大尺寸轉型效益顯現。
- 產能利用率與資本配置：
- 8 吋產能利用率已接近 90%，但 4 吋及 5 吋產線利用率低於 60%，公司正著手收斂淘汰小尺寸設備以騰出無塵室空間。
- 為因應 AI 需求，資本支出 (CapEx) 大幅追加至原計畫的三倍，主要投入 8 吋與矽光子設備。
- 負債比率微幅降至 31%，ROE 為 8%。
3. 產業動態與外部環境 (Industry & Macro Environment)
- 終端市場需求回溫：AI 基礎建設與資料中心推升功率元件 (如 PMIC) 需求，帶動產業進入上升循環。訂單能見度顯著改善，部分客戶更已開始洽談 2027 至 2028 年的產能增量。
- 地緣政治與供應鏈重組：地緣政治效應帶來「非中供應鏈」優勢。AI 供應鏈大廠多要求避開中國供應商，使嘉晶在與中國產能大廠（如英諾賽科）競爭時具備區隔優勢。同時，日本客戶訂單（如日系 IDM 大廠、日本 IBM）的挹注亦有效改善產能利用率。
- 總體經濟與原物料成本：中東地緣衝突導致化學原物料成本上升，但供應鏈端並無缺貨危機。公司已向客戶進行小幅度的價格調整以反映成本。
4. 未來展望與策略 (Guidance & Strategy)
- 財測指引 (Guidance)：預估 2026 年 Q2 營收將呈現強勁增長，QoQ > 20%；並預期 2026 下半年營運將優於上半年。毛利率全年有望維持在 Q1 的高水準或進一步提升。
- 擴產與市場策略：
- 加速 8 吋擴產：因 8 吋矽磊晶需求高於預期，將全速推進 8 吋機台的裝機，並將資源從小尺寸產線移轉。
- 定價策略：上半年調價幅度有限，第三季將視客戶需求與原物料成本，評估進一步調整價格。
5. 專題報告 (Special Topics)
- 矽光子 (Silicon Photonics)：
- 公司已成功協助客戶開發出 Ge/Si (鍺/矽) 光電探測器 (PD) 磊晶產品，順利打入國際一線 AI 伺服器終端客戶的高速光通訊供應鏈。
- 該產品已於 Q1 完成驗證並自 2 月起進入小量生產。因客戶需求極為迫切，正積極尋求擴充產能，預計未來 2-3 年 8 吋製程仍是技術甜蜜點。
- 化合物半導體 (GaN / SiC)：
- 氮化鎵 (GaN)：6 吋需求回溫使獲利轉盈，成功切入 AI 伺服器、人形機器人與航太供應鏈；8 吋 GaN 製程已開發完成並進入小量試產。
- 碳化矽 (SiC)：需求緩步回升，8 吋 SiC 已陸續送樣並獲日系客戶驗證通過；新增的日系 IDM 大廠客戶 Q2 正式進入量產階段，鎖定車用與高階工業市場。
6. 潛在風險與挑戰 (Risks & Challenges)
- 成本與折舊壓力：資本支出暴增 3 倍將帶來較高的折舊費用，若未來產能利用率無法維持高檔，恐侵蝕毛利表現。
- 原物料成本波動：中東戰事導致材料與氣體成本上揚，公司將部分成本轉嫁客戶，但仍需密切觀察終端客戶的接受度。
- 小尺寸設備閒置包袱：目前 4 吋及 5 吋產線稼動率偏低（不到 60%），若未能加速處置或轉型，恐持續拖累整體營運效率。
7. 問答環節精華 (Q&A Highlights)
【市場需求與訂單能見度類】
- Q：產業及公司前景看法？
- A：受 AI 基礎建設帶動，功率元件需求回溫。訂單能見度從過去 1-2 個月延長至 2-3 個季度，甚至有客戶已在洽談 2027-2028 年的產能增量，整體狀況相對樂觀。
- Q：第二季及 2026 年全年營運展望？
- A：第二季營收預期季增超 20%，全年來看下半年將優於上半年。
- Q：下半年營收比例預期？
- A：無法提供精確數字，但預期下半年表現將優於上半年。
【資本支出與財務預測類】
- Q：中東戰爭導致原物料價格上漲，嘉晶是否有漲價計畫？製程所需化學原料有缺貨風險嗎？
- A：材料成本確實上升，目前對客戶僅有小幅調價，會持續觀察成本並與客戶協商。目前化學材料與氣體供應無缺貨問題。
- Q：第一季毛利率改善是否來自產品價格調整？
- A：不是，第一季調價幅度有限。Q1 與 Q2 調幅相近，第三季可能開始考慮進一步調整價格。
- Q：全年毛利率及產能利用率的展望？
- A：預期全年毛利率及產能利用率可維持第一季水準，甚至有望進一步提升。新業務毛利較高，也有助於帶動整體毛利率。
- Q：矽光子設備購置數量與資本支出規畫？
- A：今年資本支出追加約三倍，主要用於 8 吋及矽光子設備，同時逐步淘汰產能利用率偏低的 4 吋及 5 吋舊設備。機台細節涉及客戶機密不便透露。
- Q：資本支出大幅提升對公司費用率的影響？
- A：成本確實會提高，但只要能確保業務量、維持高稼動率，費用影響就能被稀釋。
【產品技術與業務推廣類】
- Q：AP 製程中矽、碳化矽及氮化鎵的出貨及營收佔比？
- A：目前矽約佔 90%，碳化矽與氮化鎵試產合計約佔 10%。鍺矽 (Ge/Si) 業務剛起步，量仍小。
- Q：公司在 800V 高壓直流 (HVDC) 的佈局？
- A：矽 MOS 客戶已確認進入 AI 供應鏈，但終端是否為 800V 尚不清楚；氮化鎵 (GaN) 已確定打入 AI 供應鏈的高壓直流系統，正處於小量試產。
- Q：鍺矽 (Ge/Si) 產品實際進入量產的時程？
- A：第一季末（2月）已開始小量生產，目前機台數量有限，正在積極擴充產能以滿足客戶急迫需求。
- Q：鍺矽部分是採用 12 吋還是 8 吋製程？
- A：採用 8 吋製程，目前 12 吋難度較高，未來 2-3 年內 8 吋光學引擎方案仍是最具競爭力的甜蜜點。
- Q：矽光子的瓶頸在哪？
- A：目前產出瓶頸主要在於磊晶 (Epitaxy) 製程，而非晶圓代工製造端。
- Q：光通訊用的 PD 是幾級規格？
- A：主要使用市面上主流規格，但因屬客戶產品細節，不便具體說明。
- Q：低壓 GaN 在 Data Center 預期何時起量？
- A：GaN 用於 48V 轉 12V 相當合適。起量時機點視終端系統大廠 (如 NVIDIA) 的進度而定。
- Q：矽光子的基板是否有缺貨問題？
- A：採用一般的矽基板，因此沒有缺貨問題（與磷化銦 InP 基板不同）。
- Q：鍺矽 (Ge/Si) 的成長速度？
- A：因其厚度較厚，磊晶成長速度比一般矽磊晶慢很多，具體時間屬技術機密。
- Q：PD 及氮化鎵功率應用的產能比重提升預期？
- A：公司希望能越高越好。在 AI、邊緣應用（如人形機器人與電動車）的驅動下，PD、氮化鎵與碳化矽皆有極大的成長空間。
【市場競爭類】
- Q：矽光子技術在汽車需求上與磷化銦 (InP) 相比的優勢？
- A：InP 主要用於發光與吸收端，而鍺矽用於接收端 (PD)。鍺矽採用 CMOS 製程，製造量與品質較易控制，穩定性佳且成本更具競爭力。
- Q：相較國際 IDM 大廠，GaN 的競爭優勢為何？
- A：嘉晶的客戶在低壓 GaN 領域擁有諸多專利，且具備晶粒成本競爭力，足以與國際 IDM 大廠抗衡。
- Q：如何看待中國大陸 Innoscience (英諾賽科) 的競爭？
- A：英諾賽科產能龐大，但在 AI 核心供應鏈中，客戶多要求「非中國供應商」。因此，嘉晶在 AI 供應鏈市場享有明確的區隔優勢，不會受到其直接競爭壓力。
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