YT: https://youtu.be/BLsm4lr1_Os
法說PDF: https://mopsov.twse.com.tw/nas/STR/816220260320M001.pdf
法說影音: https://www.youtube.com/watch?v=RuXolzGBHUQ
微矽電子-創（8162）2025年營收年增逾兩成並轉盈，毛利率顯著提升。受惠PMIC、MOSFET與GaN需求成長，AI伺服器與高壓電源應用成為主要動能。公司積極擴產並布局FSM、Si-Cap與功率模組等新製程，強化技術競爭力。隨第三代半導體需求爆發，2026年營運展望樂觀。
1. 營運亮點概覽
- 公司定位與利基：微矽電子深耕半導體產業39年，以電源與節能為發展核心，專注功率半導體利基市場，為國內電源管理IC（PMIC）、MOSFET、氮化鎵（GaN）晶圓測試服務的最大供應商。公司提供測試、薄化、封裝的一站式整合性服務，與大型晶圓廠形成差異化。
- 2025年全年度營收表現：2025年為強勁成長的一年，擺脫2023年的虧損陰霾。全年營收達12.74億元（YoY +20.5%），毛利率大幅提升至25.5%（YoY +5 ppts），稅後淨利1.08億元，EPS達1.57元。
- 股利政策：隨著獲利大幅改善，股息由0.5元大幅提升至1.5元。
- 產品營收比重（2025年）：半導體測試佔72%（為最大營收來源）、晶圓薄化佔21%、半導體封裝佔7%。依產品製程細分，電源管理IC測試佔51.6%、MOSFET晶圓薄化與測試佔33.1%、第三代半導體測試佔9%、半導體封裝佔7%。
2. 財務業績回顧（QoQ/YoY）
- 2025年Q4單季表現： 營收：2.88億元（QoQ -17.2%、YoY -2.0%）。 毛利率：17%（QoQ -11 ppts、YoY -3 ppts）。 獲利：營業利益為負0.01億元，稅後淨利0.03億元，EPS為0.04元（AI Memo記錄為0.14元）。
- Q4業績衰退原因： 季節性因素：第四季為傳統淡季，設備使用率下滑，影響獲利表現。 提前拉貨效應：受美國關稅影響，第一至第三季有部分客戶提前拉貨，導致第四季訂單量下滑。 主力客戶轉型：氮化鎵（GaN）主力客戶全面從消費性市場轉向高功率應用領域，導致短期營收受影響。 供應鏈缺貨：DDR5相關類比IC受到DRAM缺貨影響，第四季訂單量放緩。 成本上升：貴金屬價格上漲影響晶圓薄化毛利率，公司已開始調漲代工價格以反映成本。
- 2025年全年度成長動能回顧：PMIC受惠於PC、NB市場回溫及伺服器、HPC與DDR5市場成長；MOSFET受惠於散熱風扇馬達驅動與高功率電源應用；GaN則受惠於無人機、機器人與伺服器應用成長。
3. 未來展望與策略
- 2026年營運展望樂觀：在PMIC、MOSFET、GaN的需求帶動，以及多項新製程逐步發酵下，2026年業績可望持續成長。
- 第三代半導體（GaN/SiC）需求爆發：AI伺服器與資料中心功耗飆升，HVDC（800V）高壓直流電力架構成為新主流，帶動GaN與SiC需求爆發，成為重要成長引擎。此外，GaN應用也持續擴散至低軌衛星/航太（具抗輻射、耐高溫、輕量化優勢）、機器人/機器狗、軍用無人機及快速充電器等領域。
- 大廠動態利多：台積電預計於2027年7月退出GaN市場，關廠前的投片潮預期將帶動大量測試需求；同時，安世半導體的轉單效應已逐漸發酵，帶動微矽的MOSFET客戶需求上升。
- 擴產與資本支出：2026年資本支出預估為3.8億元（較去年的2.5億元成長約50%），主要用於擴充MOSFET測試產能（因目前產能不足已下訂設備）及建置新業務所需的五成等級無塵室。
4. 專題報告（新業務/技術） 新的專案預計將為公司創造更多成長動能：
- FSM（晶圓正面金屬鍍膜）：產品驗證陸續完成，2026年已開始進入小量量產。該技術主要取代傳統打線，透過銅片焊接大幅降低導通電阻，適用於高電流、高功率的MOSFET（如800V HVDC應用）。
- Taiko Wafer BGBM（超薄晶圓背面研磨與金屬鍍膜）：預計2026年Q3導入新製程，可支援厚度僅約A4紙一半（50um）的超薄MOSFET晶圓全自動化生產，指向車用與高端應用需求。
- Si-Cap（矽電容）後段製程：矽電容具備體積小、厚度薄（可達100微米）、高頻特性優異及高可靠度，適合AI、HPC及光通訊模組使用。目前正陸續進行客戶驗證，預計2026年下半年開始進入小量量產。
- Power Module（功率模組）成品與Burn-in測試：針對AI伺服器負載端（如VRM），為達到極高功率密度，將MOSFET、驅動器與被動元件（如電感）封裝在一起。此業務需高階的Class 10,000無塵室，擴建預計於2026年Q2完成，Q3開始小量量產。
5. 問答環節（Q&A）
- 產能利用率狀況：目前第一季因農曆年假工作天數少為傳統淡季，利用率約七成（PTT產業利用率約60.5%~70.3%）；3月起已開始回溫，預期第二季表現將明顯轉好，利用率將穩站七成以上。
- 轉上市進度：公司已於3月11日經董事會通過由創新板轉至一般板上市，目前正與主管機關互動中，若股東會順利通過，預計於今年（2026年）年底前完成轉換作業。
- FSM與矽電容的具體終端應用：
- FSM：專注於高壓直流（如800V）及高電流的負載端應用，旨在降低功耗，不適用於單純儲能設備。
- Si-Cap（矽電容）：公司負責獨立型IPD矽電容的晶圓測試或DPS封裝，主要客戶應用於高速光通訊模組，亦可用於AI伺服器主板（如GPU基板下方），提供極佳的耐用度與高頻載波支援。
- 功率模組測試需求細節：微矽測試的功率模組主要用於AI伺服器負載端，而非傳統體積較大的車用模組。由於模組內整合了多個元件且同一個板子會放置多個模組，因此需要進行Burn-in（預燒）測試以確保極高的可靠性，這也是公司建置Class 10,000無塵室的主要原因。
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